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集成电路申报攻略!合肥高新区半导体流片+IP补贴合计1500 奖补,附认定条件材料及流程补助

文字:[大][中][小] 2026/11/4    浏览次数:14    

最近有客户在咨询集成电路相关问题,小编整理了相关的政策文件,主要面向工商税务统计均落在高新区、无失信的独立法人设计企业。三大奖补:全掩膜流片最高补贴 30%,入区不满五年上限 150 万、满五年 75 万;采购 IP 最高 30%,上限 100/50 万;车规认证按认证费 50% 补贴,最高 50 万。流片与 IP 补贴年度合计池上限 1500 万元,线上在高新区涉企申报系统提交,就高不重复享受同类政策。

 

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一、申报主体

工商、税务、统计关系均在合肥高新区,财政收入级次在高新区,具有独立法人资格并在高新区持续经营的企业和单位(有特定要求的在具体条款中注明)。有失信行为信息,且在有效期内的企业和单位除外。

二、申报、审核及兑现程序

本实施细则兑现严格按照“企业申报、部门初审、财政复核、联合会审、政府审批、网站公示”等流程办理并依法接受监察、审计监督。具体如下:

(一)申报时间

以合肥高新区官网和合肥高新区财政涉企项目申报系统中发布的通知为准。申报截止期限遇节假日顺延,逾期未申报,视为自动放弃不再受理。

(二)申报方法

企业申报主体登录合肥高新区财政涉企项目申报系统录入真实完整信息,完成注册;按照申报通知要求,及时提交真实、完整的申报材料,将所需附件材料以PDF格式上传到系统。密切关注审核意见,及时完善申报材料。

(三)兑现流程

审定后的普惠政策,在高新区官网和高新区财政涉企项目申报系统公示,公示内容包括:申请人名称、政策条款、申报金额、核定金额等,公示期不少于5天。公示无异议或对异议复审后,办理资金拨付手续。有异议的单位或个人需以书面形式正式提出异议,公示期满后提出的异议无效。

三、具体条款、奖补细则和申报材料

申报各条款均须提供:

(1)合肥高新区集成电路产业政策资金申请表;

(2)项目资金申请报告;

项目资金申请报告正文主要包括但不限于以下内容:企业基本情况,项目基本情况(主要包括项目背景、建设内容、技术工艺、知识产权、总投资及资金来源、经济产出及项目进展情况等),项目资金申请依据及申请资金金额。

(3)载有统一社会信用代码的营业执照复印件(名称变更的提供变更核准通知书);

(4)企业在国家、省、市信用系统内无失信行为记录的材料;

(5)合肥高新区集成电路产业政策资金申请诚实信用承诺书;

注意事项:申报材料涉及增值税发票的,专票提供抵扣联,普票提供发票联。通过电子承兑汇票付款的,提供供货方收款收据或银票流转信息。提供相关银行付款凭证的,发票开具时间及银行付款时间均需在申报时限内。合同及发票时间不一致的,按照发票日期计算。所有提供复印件、扫描件的材料均需提供原件备查。在兑付过程中确需但细则中未列明的申报材料,需由申报主体在3个工作日内提供。

(一)政策第1条??流片支持

政策条款:对总部位于合肥高新区的集成电路设计企业,拥有自主知识产权产品开展全掩膜(Full Mask)工程流片,根据企业入区年限,按照掩膜版制作费用给予最高30%补贴,单个企业年度补贴上限150万元。

申报条件:

(1)设计企业对拥有自主知识产权产品开展全掩膜(Full Mask)工程流片。

(2)企业总部位于高新区且企业股东为非单一股东且股东中有投资机构或产业基金(不含持股平台)。

(3)企业未在一事一议政策期内或未享受过高新区一事一议政策资金支持。

(4)按照企业入区年限实行分档补贴,其中截至政策兑现通知发布之日计算,入区不满五年的企业,年度补助总额最高150万元;截至政策兑现通知发布之日计算已满五年的企业,年度补助总额最高75万元。

(5)在合肥市缴纳社保人数不低于6人。

申请材料:

(1)流片补贴申报明细表;

(2)Full Mask情况说明,介绍产品主要功能及用途、技术指标及先进性、与公司其他相关产品的差异说明等;

(3)与晶圆代工厂直接签订流片合同,或通过相关国家“芯火”双创基地委托代理流片,或通过晶圆代工厂指定代理机构流片的,提供合同、银行付款凭证、增值税发票等相关材料;其中与境外晶圆代工厂(或境外代理公司)签订流片合同的,须提供合同、形式发票、银行付款凭证、海关报关单(未报关的提供芯片销售合同等佐证材料)及以上材料主要内容翻译成中文的相关材料;以上材料将作为半导体中心委托第三方会计师事务所做专项审计使用;

(4)其他形式的流片(非上述(3)规定的直接或委托代理流片方式),除提供上述佐证资料外,还需提供代理中介公司至晶圆代工厂交易的全过程合同、银行付款凭证、增值税发票等相关资料。

受理单位:半导体中心

(二)政策第2条??企业购买IP支持

政策条款:总部位于合肥高新区的集成电路设计企业,根据企业入区年限,按照实际购买IP(含?Foundry IP模块)费用给予最高30%补贴,单个企业年度补贴上限100万元。

申报条件:

(1)设计企业向IP提供商购买IP(含Foundry IP模块)用于研发活动;

(2)企业总部位于高新区且企业股东为非单一股东且股东中有投资机构或产业基金(不含持股平台)。

(3)企业未在一事一议政策期内或未享受过高新区一事一议政策资金支持。

(4)按照企业入区年限实行分档补贴,其中截至政策兑现通知发布之日计算,入区不满五年的企业,年度补助总额最高100万元;截至政策兑现通知发布之日计算入区已满五年的企业,年度补助总额最高50万元。

(5)在合肥市缴纳社保人数不低于6人。

申请材料:

(1)IP补贴申报明细表;

(2)购置IP情况说明,介绍IP功能、用途、授权期限及主要用于研发芯片产品等;

(3)购买IP的相关合同、银行付款凭证、增值税发票、License agreement(许可证协议)等;直接从境外购买IP的提供合同、形式发票、银行付款凭证、海关报关单及以上材料主要内容翻译成中文的相关材料;以上材料将作为半导体中心委托第三方会计师事务所做专项审计使用。

受理单位:半导体中心

(三)政策第5条??鼓励车规级认证

政策条款:对集成电路设计企业,利用具有资质的第三方平台进行车规级认证的,通过验证后,给予实际认证费用的50%最高50万元补贴。

申报条件:区内集成电路设计及模组企业,通过具有国家级资质的第三方平台车规级认证。

申请材料:

(1)车规级认证证明材料;

(2)出具该认证材料的第三方平台资质证明材料;

(3)企业开展车规级认证的合同、发票、银行付款凭证等证明材料。

受理单位:半导体中心

四、附则

1、本政策与区财政其他同类政策按就高不重复原则执行。

2、申报材料除申请表外,要求的其他证明材料一般均为提供复印件并加盖公章,原件现场审核后予以退回,特别要求的将在发布兑现通知时进行公告说明。

3、申报单位或个人对申报材料的真实性负责,弄虚作假,套取奖励资金的,一经发现,追回奖励资金,取消以后3年申报各类财政补助和奖励资格,涉嫌犯罪的移交司法机关依法处理。

4、本细则中第(一)条流片补贴及第(二)条IP补贴实行总量控制,合计每年最高补贴不超过1500万元。

5、申报材料包括但不限于本细则要求提供的材料,企业可根据审核需要,视情况要求补充相关证明材料,具体以发布的政策申报通知为准。

6、本细则由高新区半导体中心会同高新区财政局负责解释。

7、本细则自2024年1月1日起开始执行,有效期二年。

 

合肥高新区半导体中心集成电路实施细则含全掩膜流片、IP 采购、车规认证三类补贴,面向区内 IC 设计主体,流片、IP 补贴按入区年限差异化封顶,两项年度总额上限 1500 万,车规认证按认证费 50% 最高 50 万。申报在高新区涉企项目系统线上提交,设置股东、社保、一事一议、失信负面清单,材料要求合同、发票、付款凭证完备,境外业务配套报关与翻译件,是降低芯片前端研发、车规验证成本的重要普惠政策。

 

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今天的政策讲解就到这里啦,如果大家还有不清楚的细节、拿不准的申报方向,都可以随时免费咨询我们!

 

 

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